圖片僅供參考,產(chǎn)品以實(shí)物為準(zhǔn)
JK9610A 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
9610A和9612的區(qū)別：
9610A可以測(cè)三個(gè)參數(shù)：
A:擊穿電壓VDSS 開啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo)
B:三個(gè)參數(shù)只能一項(xiàng)一項(xiàng)測(cè)
9612可以測(cè)三個(gè)參數(shù)：
A:開啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo) 通態(tài)電阻Ron 極間電容Cir 四個(gè)參數(shù)一起測(cè)
B:效率高,
C:帶分選報(bào)警 適合大批量來(lái)料檢驗(yàn)
功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀/MOS管分選儀/MOS管配對(duì)儀 深圳JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 上海JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 常州JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀價(jià)格 JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀銷售 JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀參數(shù) JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀報(bào)價(jià)
一、概述
JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器完全可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性 能十分優(yōu)越的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。
二、主要技術(shù)性能
1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
3、柵極開啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。
4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。
5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。
三、主要測(cè)試功能
1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。
4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。
5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
四、測(cè)試盒與測(cè)試線
1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
測(cè)試實(shí)例
型號(hào) | 擊穿電壓 Vdss | 開啟電壓 Vgs(th) | 跨導(dǎo)S Gfs |
測(cè)試電流Gfs
| 標(biāo)稱電流 ID | 標(biāo)稱功率 PD | 封裝 | |
IRF640
| 基本參數(shù) | 200V | 2-4V | ≥6.8 | 11A | 18A | 150W | TO-220 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 225V | 3.0V | 12 | 11A | ||||
IRF1010
| 基本參數(shù) | 60V | 2-4V | ≥69 | 50A | 84A | 200W | TO-220 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 66V | 3.2V | 67 | 50A | ||||
IRF3205
| 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥44 | 62A | 110A | 200W | TO-220 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 60V | 2.9V | 68 | 60A | ||||
FQP70N08
| 基本參數(shù) | 80V | 2-4V | 41 | 35A | 70A | 155W | TO-220 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 86V | 3.2V | 46 | 35A | ||||
75NF75
| 基本參數(shù) | 75V | 2-4V | 20 | 40A | 80A | 300W | TO-220 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 81V | 3.6V | 52 | 40A | ||||
IRFP064
| 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥42 | 59A | 110A | 200W | TO-3P |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 67V | 2.5V | 57 | 60A | ||||
2SK1120
| 基本參數(shù) | 1000V | 2.5-5V | 4 | 4A | 8A | 150W | TO-3P |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 1086V | 2.3V | 5 | 4A | ||||
G160N60
| 基本參數(shù) | 600V | 3.5-6.5V | * | 80A | 160A | 250W | TO-247 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 626V | 3.9V | 35 | 60A | ||||
H40T120
| 基本參數(shù) | 1200V | 5-6.5V | 21 | 40A | 75A | 270W | TO-247 |
實(shí)測(cè)參數(shù) | 1390V | 5.7V | 20 | 40A | ||||
60N170D
| 基本參數(shù) | 1700V | 3.5-7.5V | 60A | 200W | TO-247 | ||
實(shí)測(cè)參數(shù) | 1798V | 4.8V | 30 | 60A |
